霍爾效應(yīng)測試儀，是用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具?；魻栃?yīng)測試儀主要用于測量電子材料之重要特性參數(shù)，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等，薄膜或固體材料均可。您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技"，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！
儀器系統(tǒng)構(gòu)成：電磁鐵、高精度電源、高斯計(jì)、高精度恒流源、高精度電壓表、霍爾探頭、電纜、標(biāo)準(zhǔn)樣品、樣品安裝架、系統(tǒng)軟件。
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技術(shù)參數(shù)： * 電磁鐵磁場：間距 10mm情況下10700 高斯，間距20mm 情況下7000 高斯
*樣品電流：50nA～50mA（*小可調(diào)節(jié)電流為 0.1nA）
* 提供各類測試標(biāo)準(zhǔn)材料，各級別霍爾器件（靈敏度與精度不同）
*配合高斯計(jì)或數(shù)采板可與計(jì)算機(jī)通訊
* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等 ▲ 電阻率范圍：5*10-5～5*102Ω.cm
*霍爾系數(shù)：±1*10-2～±1*106cm3/C
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可測試材料: 半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料，低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料，高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
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