錦正茂硅二極管溫度傳感器DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。

錦正茂硅二極管溫度傳感器DT64-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有*的優(yōu)勢。  

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特點(diǎn)：

※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)； ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；

※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；

※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；

※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；

※ 多種可選封裝方式；

參數(shù)：

※ 溫度范圍：3K~500K；

※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640

※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；

※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。

※ 反向電壓上等高達(dá)：75V；

※ 損壞前電流上等高達(dá)：長時(shí)間200mA 或瞬間1A；

※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；

※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；

※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；

※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。

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典型相應(yīng)曲線以及靈敏度

溫度范圍及精度：

封裝形式以及外形尺寸：

為滿足不同用戶使用條件的需求，錦正茂可以提供多種形式結(jié)構(gòu)類型的溫度計(jì)封裝以及尺寸，下面幾種均為常見的封裝形式和其具體尺寸。我們也可以按照客戶需求進(jìn)行設(shè)計(jì)。

MS：帶公制螺絲    BO：線軸封裝    PI：管式封裝     BC：裸片  

該封裝形式適用于DT640、PT100、Cernox以及其他體積較小的傳感裸片

訂購說明

未校準(zhǔn)的傳感器

步驟一：確定傳感器的系列，比如DT-640

步驟二：選擇傳感器的精度等級，比如DT-640A

步驟三：選擇包裝和固定形式，并將包裝后綴放到傳感器型號后面， 比如DT-640A-BO

校準(zhǔn)的傳感器

步驟一：確定傳感器的系列，比如DT-640

步驟二：選擇傳感器的標(biāo)定范圍，比如DT-640-3L

步驟三：選擇封裝形式，并將封裝形式作為后綴放到傳感器型號后面，比如DT-640-3L-BO